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记忆体 SK Hynix 将量产72层堆栈的3D NAN

SK Hynix 前几天才宣布投资2.2万亿韩元升级清州市工厂。
除此之外,SK Hynix 还将推出新一代 3D NAND,堆栈层数将从目前的36、48层提升到72层,
一举超过三星、美光及东芝新一代64层堆栈 3D NAND,预计在明年下半年正式量产。

记忆体  SK Hynix 将量产72层堆栈的3D NAN

三星发展 3D NAND 快闪记忆体最早,目前已经推出了三代 V-NAND,
最高堆栈层数是48层,下一代3D快闪记忆体是64层堆栈,今年底开始量产。
东芝 / WD 则是 BiCS 类型的3D快闪记忆体,堆栈层数是48层,下一代也是64层堆栈,
美光 / Intel 的3D快闪记忆体进度最晚,堆栈层数是32层,下一代则会提升到64层堆栈,
美光在新加坡的10X晶圆厂年底将会量产64层堆栈快闪记忆体。

SK hynix 的 3D NAND 快闪记忆体发展32层堆栈算是实验性,
今年11月份则是正式量产48层堆栈的3D快闪记忆体。
不过根据韩联社的消息,SK Hynix 的下一代3D快闪记忆体也在路上了,
2017年上半年完成晶片设计,2017年下半年正式量产。

从层数上来看,SK Hynix 如果明年真的能顺利量产72层3D快闪记忆体,
那么他们的堆栈能力就超过了其他三家,后者明年的3D快闪记忆体还是64层堆栈的,
不过三星此前已经提到了96层堆栈的3D快闪记忆体,早已在研发中,只是尚未有确定的量产时间表。
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